拼接屏。该拼接屏采用了25微米LED芯片，由4个14.5英寸Micro-LED箱体拼接组成，像素间距为500微米，在行业内处于领先地位。

  这款拼接屏采用了国内首款Micro-LED专用驱动IC，实现了10 bit色深和240 Hz高刷新率，并配合特有的De-Mura方案，明显提升了显示效果。

  同时，辰显光电还采用了自主研发的混合驱动电路架构，成功实现了600 nit亮度（支持HDR功能，最高可达1000 nit）。

  1．国内首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，实现了真正意义上的无限拼接

  在Micro-LED显示技术的发展中，无限拼接一直被视为一项重要的目标。辰显光电目前实现的这项技术突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接领域拥有了更高的分辨率和更出色的显示效果。用户能根据自己的需求，自由拼接Micro-LED屏幕，形成任意尺寸的显示画面，为高端应用提供了灵活性更好和多样化的解决方案。

  辰显光电成功降低了IJP（Inkjet Printing）封装的反射率，使其稳定在5%以下。IJP技术是Micro-LED封装的关键步骤之一，其高反射率一直是制约Micro-LED显示品质的挑战之一。通过技术团队的不懈努力，辰显光电成功地克服了这一难题，确保Micro-LED显示画面在高亮度状态下仍就保持出色的显示效果，为用户所带来更加清晰和逼真的视觉体验。

  值得一提的是，辰显光电还引入了自主开发的高速巨量转移技术，将25微米LED芯片转移良率提升至99.995%。同时，采用了LED后处理技术，确保了显示色彩的一致性和鲜艳度。

  为了推动Micro-LED显示技术在中国的发展，今年7月辰显光电已经与成都高新技术产业开发区管理委员会正式签署了Micro-LED显示屏生产基地项目投资合作协议。这在某种程度上预示着全球首条TFT基Micro-LED显示屏生产线即将在四川成都真正开始启动。据预测，辰显光电的TFT基Micro-LED产品将在2024年进入正式出货阶段。

  这一突破性的进展将为用户所带来全新的惊喜，同时对整个显示产业的发展产生积极的推动作用。辰显光电在Micro-LED技术领域的不停地改进革新和发展，为中国显示技术走向国际舞台提供了强有力的支持。

  北京时间11月12日消息，据外国媒体报道，巴克莱银行供应链分析师预测，2017年

  ，玻璃基板仅为0.12mm。该公司表示其芯片尺寸小于30um，这是真正的microLED产品。另外，其显示驱

  微显示芯片 /

  、低功耗、高集成及智能像素化（ViP）等创新技术参展；基于数字化技术带来新的显示发展机遇，维信诺展示了智慧出行、智能家居全系解决方案。此外，维信诺参股公司

  技术开发的西安赛富乐斯半导体科技有限公司（简称“赛富乐斯”），对外宣布

  芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星

  在这一前沿技术领域“吃螃蟹”的企业仍是少数，目前全球仅有韩国三星推出少量量产产品试水，而来自成都的

  诚迈科技在南京大学成功举办OpenHarmony Meetup 南京站

  cmos逻辑电路基础，与门和与非门，由双路拓展成多路#硬件设计遇到过哪些坑？

  wemos D1 Arduino项目实战03-wemos D1连接Tlink平台设备2-2 #物联网