晶能光电将发布全彩Micro LED模组像素密度1000PPI

  近来，央视《焦点访谈》栏目播出《强强联合 补短“锻”长》，聚集国家石墨烯立异立异中心三大国家级立异中心。晶能光电作为国家虚拟现实立异中心的组成单位之一，接受了央视采访。

  晶能光电介绍，公司使用自主立异的硅衬底GaN基LED技能，承当硅衬底Micro LED的要害共性技能开发，为虚拟现实硬件——AR眼镜供给高性能的Micro LED光源产品，助力超小轻浮AR眼镜面市。

  据悉，出于对硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR工业使用远景的看好，晶能光电早在2018年便开端硅衬底Micro LED的研制作业，并获得不少打破。

  2020年，晶能光电推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技能，现在仍在继续研制以提高InGaN红光光效；2021年9月，晶能光电成功制备像素点距离为25微米、像素密度为1000PPI的硅衬底InGaN红、绿、蓝三基色Micro LED阵列。现在，像素点距离这一重要技能指标已缩至8微米。

  晶能光电展现的硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列（图片来自：晶能光电）

  据泄漏，晶能光电带驱动的三基色Micro LED显现模组将于本年晚些时候发布。跟着Micro LED技能及本钱优势的扩大，有望加快其在大屏、近眼显现、车载等范畴的大规模商用。

  原文标题：晶能光电将发布全彩Micro LED模组，像素密度1000PPI

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