与空穴复合释放能量发光。LED光源具有体积小、寿命长、效率高等优点，在社会生活的方方面面存在广泛的应用前景，如照明、平板显示、医疗器件等诸多领域已采用LED光源提升设备效能。

  随着电源管理技术和功率器件工艺技术的持续不断的发展进步，慢慢的变多的新型半导体器件也逐渐被应用到LED光源产品上，比如许多已开始用超结（SJ）MOSFET去替代VDMOS，在达到高效率的同时，更节省了电源空间和生产成本。

  超结（SJ） MOSFET作为一种高性能的半导体器件，在大功率电子照明领域应用广泛，尤其是在LED、荧光灯、高压钠灯等领域，超结（SJ）MOSFET慢慢的变成了重要的解决方案。

  安森德半导体自主研发的先进多层外延高压超结（SJ）MOSFET，具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好等特点，可大范围的应用于各种LED驱动电源、电动工具驱动电源、家电电源等产品中。安森德半导体，为未来的照明技术的发展赋能，让人们的生活更美好、舒适、节能。

  强大的EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。

  超结（SJ）MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结（SJ）MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。

  在同等电压和电流要求下，超结（SJ）MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。

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  原理。提供的设备提供快速切换和低功耗的所有好处电阻，很适合需要更高效、

  原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其非常适合于要求更高效、更紧凑、更轻

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