LED和LD光调制的区别有哪些？

  V特性曲线的线性比较好。图示出了LED与LD的PIV特性曲线的比较。由图可见，其中LED1和LED2是正面发光型发光二极管的Pq特性曲线是端面发光型发光二极管的PIV特性曲线，可见，发光二极管的PIV特性曲线明显优于半导体激光器，所以在

  光纤通信系统中得到普遍应用。但在数字光纤通信系统中，因为它不能获得很高的调制速率（最高只能达到100 Mb/s）而受到限制。

  自发地下降到低能态（也就是电子和空穴复合），产生自发辐射或者热效应。所以LED的响应速度主要是由上能级的寿命决定。而LD因为有光腔产生的光反馈，这个光可以把处于上能级的高能态的电子，通过受激辐射，下降到低能态。所以LD比LED更快。也能说LD的光特别大程度上是受限于皮秒ps的光子寿命，而LED受限于纳秒ns的载流子寿命。从LD的光子寿命能分析如下：“估算无腔面镀膜，折射率为3.5的300um长激光器器件中，光子寿命是多少？”

  L=300um,R1=R2=0.3 先不看吸收损耗α=0，计算g ~Cav~ =40cm^-1^

  这个ps量级的光子寿命，就是半导体激光器能够迅速调整的基本原因了。而LED的载流子寿命是ns级别。因此激光器可以调制到Gb/s,远比二极管的速度快。

  不过也听说国外有人用microLED做光调制到1~5 Gb/s。微LED波长430 nm，带宽20 nm， 几厘米的传输距离能轻松实现高速调制，

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