案例展示

  端口P0编号不能用小写。P字母有必要大写。 给P0赋值时，尽管赋的是16进制的值，可是不能在后面加H。 最重要的是延时问题！

  要注意的是用C言语不大或许做出精确的延时作用，肯定会存在必定的差错！！！！

  时钟周期：也称振动周期，界说为频率的倒数，它是单片机中最根本，最小的时刻单位。 状况周期：它是时钟周期的两倍。 机器周期：单片机的根本周期，完结一项根本操作，如取指令，存储器读写等，它由12个时钟周期（6个状况周期）构成。 指令周期：单片机履行一条指令所需求的时刻，一般是1-4个机器周期。

  在这儿，我把晶振的频率设置为跟自己设备相同，为12MHZ，所以机器周期为1s。而整个程序的时刻能依据Keil的调试功用检查。

  翻开Keil的调试功用（便是菜单栏里放大镜里边有个d的那个图标），然后再在所需求的当地设置断点。如下图所示：

  如图所示，在15行，16行方位设置了断点。图片左边部分，能够找到“sec”这一项，这一项便是履行到这步所需求的时刻，然后能够精确的通过时刻差核算延时的时刻。

  履行到16行的时分时刻为0.00039100s，所以履行P0=0x00的时刻为2s，即两个机器周期，由于这儿用的是当即数寻址，取值一周期，履行一周期。

  履行到19行的时刻为0.97892600s，所以履行delay(45)这句代码的时刻为0.978535s，挨近1s，所以说是存在差错的。可是关于试验作用来说，也现已够了。

  最重要的还有一点便是，通过自己试验，不同的类型符号所需求的时刻也是不相同的，比方我选用无符号整形，所需时刻便是3.7s，所以不同仍是很大的。

  尽量运用unsigned 型的数据结构。 尽量运用char型，真实不够用再用int，然后才是long。 假如有或许，不要用浮点型。 运用简练的代码，由于依照经历，简练的C代码往往能够生成简练的方针代码（虽然不是在所有的情况下都建立）。

  别的的话，在这儿也把汇编的延时程序放出来。相同的，也是先来看用来完成这个方针的代码。

  其间DJNZ是减一不为零搬运指令。有两个参数，第一个是被减数，第二个是搬运的地址编号。

  履行到12行时，时刻为0.00000400s，所以履行MOV P0，#00H这句句子的时刻为2s，相同的是由于选用了当即数寻址。

  所以选用汇编编写延时程序显着比C言语精确的多，当然也不是完全正确，仍是有很小的差错，精确的延时应该用定时器来规划。

  功用：发生一个JBC 指令，该函数测验一个位，当置位时回来1，不然回来0。假如该方位为1，则将该位复位为0。8051 的JBC 指令即用作此意图。

  3.点击新建节目窗，挑选文件窗，鼠标移至播映窗口蓝色边框矩形上，单击鼠标右键，挑选“巨细”设置成“全

  屏”；设置边框“无”；点击增加文件按钮，挑选你要增加的文件。（留意：图片文件需求设置逗留时间，视屏文件不需求设置逗留时间）

  5.增加完一切的节目之后，要保存led播映文件。点击led的操控窗口上的磁盘符号按钮，挑选你要保存的途径。设置好文件名，led播映文件的扩展名是“.lsd”。

  1.单击led的操控窗口上的文件符号按钮，在弹出的“翻开节目文件”窗口上，单击“更多节目”，在弹出的“翻开”窗口上，找到你现已保存的led播映文件，并把它选中，单节“翻开”。

  翻开你要播映的led文件今后，单击led的操控窗口上播映按钮，播映窗口会主动变成操控窗口最小形式，要了解最小形式上，各个按钮的效果。

  2.在键盘上输入“linsn”，在暗码输入窗口输入“168”，点击“确认”。

  3.在“设置硬件参数”窗口上挑选“显示屏衔接”，单击“发送到接纳卡”，在弹出的“ledstudio”窗口，单击“是”。在“设置硬件参数”窗口上单击“退出”。在“软件设置”窗口上点击“封闭”。

  单击操控窗口的“设置”菜单，挑选“调理大屏亮度/对比度/色彩（B）”菜单，调理亮度。

  遵从右进左出的准则，包含发送卡上。信号线不能被任何物体压着，也不能让人随意踩。在衔接大屏和操控电脑箱上的发送卡信号线时，要留意信号线尽量走不被重物或许不被人踩的当地。

  八、led操控电脑的分辨率只能设置成“1024×768”，不能改分辨率。在表演时，要运用变脸东西，把操控窗口变小。

  1、电脑操控箱中，电脑主机箱上的led发送卡上的按钮，除了电源开关（赤色），其他按钮勿动。

  3、led大屏的播映窗口的巨细是1024×512，不改动它的巨细，请勿动。

  3、表演前要查看，led大屏的电源线是否通上电，led操控电脑与发送卡的是否衔接上。

  4、图片文件一定要设置逗留时间，在led操控窗口上“逗留”后的矩形框中，选重，在键盘上按住“9”，直到不能再输入停止。

  （1）信号线无信号传输，查看信号线。看大屏后的信号插口的灯是否亮。或许按“五、LED大屏画面呈现紊乱时校对过程：”中的“显示屏衔接”，看led大屏的块数。

  （2）大屏不亮，且信号线有信号输入。翻开大屏反面，按几下大屏信号线槽反面的一个按钮（只要中性笔芯巨细），各种色彩循环一次，到黑色止。

  （3）大屏呈现“Hardware error”，有重物压着信号线或许有人踩着信号线）大屏呈现如下图标

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  5、防止在失控状态下开屏，由于此刻体系的冲击电流最大，以下三种状况应留意。

  7、电子显示屏体一部分出现行高亮时，应及时关屏，在此状态下不宜长期开屏。

  9、准时进行查看挂接处的结实状况。如有松动现象，及时作出调整，从头加固或更新吊件。

  10、依据LED显示屏屏体、操控部分所在环境状况，防止老鼠啃咬，必要时应放置防鼠药。

  1、屏体操控电路的零、前方不能反接，应严厉按本来的方位插接。如有外设，衔接结束后，应测验机壳是否带电。

  2、屏体等操控设备移位后，应通电之前首要查看衔接线、操控电路有无松动现象。

  3、不能随意改动通讯线、扁平联接线、移动后如发现短路、跳闸、烧线、冒烟等非正常现象时，防止重复通电测验，应及时找电工排查原因。

  1、软件备份：WINXP、WIN7、WIN10、应用程序、软件装置程序、数据库等，主张运用“一键复原”软件，操作便利。

  是一款适当的好的软件，海康DID拼接屏软件官方版界面美观大方，功用微弱，包含服务端HikServer.exe，客户端ScreenControl.exe，用起来简略快捷，我们都看看就会了

  海康DID拼接屏软件官方版也便是海康大屏操控系统软件，用于操控液晶拼接屏的处理器的相关参数装备，包含服务端HikServer.exe，客户端ScreenControl.exe，内附LCD显现单元用户手册！

  将拼接屏服务器安装包保存到本地电脑，点击图标运转服务器 ，会弹出拼接屏幕服务器装备窗口。服务器地址即电脑IP地址，【是否主动运转】打对勾，下次翻开服务器会主动运转。点击【中止服务】， 服务器将中止运转。中止运转时，点击【参数装备】，可对客户端衔接端口进行设置。点击【服务器信息】可査询当时登录到该服务器的用户个人信息， 包含用户名，用户IP地址，登录时刻，点击【退出】，封闭服务器。

  本设备的初始用户名（admin）和暗码（12345）仅供初度登录运用。为根绝安全危险危险，请您必须在初度登录后及时修正初始暗码，以防别人没有通过授权登录 您的设备或其他不良后果。

  1.压缩包解压后，找到软件新版进入，里边是公版文件夹，再进入是screencontrol程序，软件是免装置的，双击翻开。

  再点击设置-通讯设置，弹出以下弹窗。在com挑选处选中正确的com数，或许点击下方改写串口，再点击承认

  5.点击左下角ID设置-发生设备码，正确链接屏幕上会呈现带有xxx-xxx两组数字，第一组是识别码1.第二组是识别码2，队伍数对应屏填写，每块屏填完后点击使用。这步已操作过就不要再操作。

  6.鼠标拖拽选中一切窗口，点击右键，会弹出选项，依据所用线材挑选。留意，挑选线材后屏幕是全屏形式，单屏形式是挑选线材后再选中一切窗口，点击单元显现。

  7.假如哪块屏色差较为明显，选中对应屏窗口，点击图画调整。再在弹窗中调整红绿蓝增益。调好后点击保存调整。若调整错了又调不回来可点击本机复位，康复初始状况，再从头调试。

  TPOWER芯片，TPOWER半导体，TPOWERIC是一家专门干集成电路设计与出售的高新技能企业，公司坐落深圳市高新技能产业园南区，公司专心于LED驱动照明,移动电源SOC等电源办理芯片的研制,致力于为客户供给彻底自主知识产权且安全,牢靠，超高的性价比的芯片和体系计划.

  TPOWER驱动芯片内部集成智能调光恒流技能，高压发动及供电技能和高功率因数操控技能。集成度高，外围元件少，电源体积小，全体BOM成本低。可通过EFT、雷击、浪涌等牢靠性测验;可通过3C、UL、EMC、CE等认证。大范围的应用于球泡灯、蜡烛灯、日光灯、吸顶灯等LED照明驱动电源范畴。

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  银联宝的电源办理芯片类型十分多，每款不同的类型都有不同的功用和应用领域。咱们咱们常常遇到一些客户对咱们电源办理芯片的各个类型的功用不是很了解。以LED灯具为例，下面咱们银联宝介绍一下LED灯具挑选电源办理芯片有什么要求？

  咱们银联宝的电源办理芯片合适LED灯具的当属U6113类型，U6113电源办理芯片 在同一晶元上集成了高压功率 MOSFET 和控制器。此外，芯片还集成有高压发动电路和无需辅佐绕组的电感电流过零检测电路，运用此功用，体系作业在准谐振形式下而且大程度地简化了体系的规划。

  除此之外，U6113电源办理芯片是一款既能够当夜灯又能够作为充电器的一款IC芯片，有短路维护、过载维护、逐周期电流约束、前沿消隐、过压欠压维护，运用十分。回来搜狐，检查更加多

  LED的工作原理是在正向导通的情况下，注入二极管P/N节区的电子和空穴相遇复合，将电势能转换为光能。所发出光子的波长（也就是光的颜色）是由半导体的能带宽度决定的，通俗地讲，半导体能带宽度越宽，发出的光子能量越大，对应的波长越短，简单的换算关系是：（nm）。当前蓝、绿光LED器件的材料基础是III族氮化物半导体，也就是GaN为主，InN、AlN为辅的四元AlGaInN合金体系，

  目前，绝大部分蓝、绿光LED芯片的量子阱发光层材料是由InxGa1-xN合金和GaN组成的，由于InxGa1-xN合金的能带宽度随着InN的比例x变化，可以在3.4eV（对应GaN的能带宽度）和0.7eV（对应InN的能带宽度）调整，所以理论上这个材料体系可以覆盖整个可见光光谱区域。但是，目前的材料制备技术是基于GaN晶体的外延层生长技术，只能生长含InN组份较低的合金材料。InxGa1-xN合金在InN的组份x15%以后，晶体质量急剧下降。实际上，目前工业界的技术水平通常做到蓝光芯片的电光转换效率大约是绿光的2倍，主要是因为前者的InN组份远小于后者，绿光器件中InN的组份估计已经在30%以上（InGaN合金材料精确组份的测定目前在学术界还是一个疑难科学问题）。也就是说，目前的技术还很难通过继续增加InN的组份，使得InGaN合金器件能高效率地发出红光。但值得庆幸的是，早在上个世纪90年代，III族磷化物体系（也通常表述为四元体系，AlGaInP）慢慢的变成了红、黄光LED器件成熟的材料基础。这两个材料体系的基本物理特征以及其所含元素在周期表中的位置。

  III族氮化物半导体材料目前工业化制备是通过金属有机物化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD）来实现的。该技术的基础原理是通过在密闭化学反应腔中引入高纯度的金属有机源（MO源）和氨气（NH3），使其在加热的衬底基板（一般选择蓝宝石做衬底）上生长出高质量的晶体。基本化学反应式是：Ga（CH3）3+NH3→GaN+CH4.通常GaN晶体是六方状的纤锌矿结构，基本的物理特性如表2所示。需要非常指出的有两点：（1）GaN的能带宽度在常温300K时，等于3.39eV,是非常难得的宽禁带半导体材料，如果发光，对应的光子波长应该是，属于紫外光；（2）GaN的p-型掺杂十分艰难，目前能够达到的载流子浓度比n-型掺杂低将近两个数量级，电阻很大。这个特性对其器件的设计提出了特殊的要求，这一点在随后介绍LED器件结构时将提到。GaN与它同族的AlN和InN的物理属性差异非常显着，表3给出了具体的比对。在晶体生长过程中，GaN晶体的取向和蓝宝石衬底的晶面选择有着密切关系。当前，工业化生长GaN晶体一般都取c-面的蓝宝石作为衬底基板，GaN晶体生长与衬底晶体取向会保持一个固定的配位关系（这也就是“外延”的意思）。GaN外延片表面是晶体的六方密排c-面，晶体的生长是沿着c-轴逐层原子堆积而成的，也就是c-轴方向成长。

  GaN基LED外延片的基本结构是在蓝宝石衬底上依次生长：（1）GaN结晶层；（2）n-型GaN（实际生产中一般先长一层非故意掺杂的n型GaN）；（3）InGaN/GaN多量子阱发光层；（4）p-型GaN.为了获得高性能的器件，整个外延生长过程的各项参数都要得到优化并且精确控制，其中对发光效率影响最大的结构是InGaN/GaN多量子阱发光层。p和n型材料的掺杂元素通常为Mg和Si,Mg通过替代GaN中的Ga原子（Mg比Ga少一个外围电子），形成一个空穴载流子，Si通过替代Ga原子，形成一个电子载流子（Si比Ga多一个外围电子）。一般整个器件的外延层厚度范围在4~8μm,平均生长速度大约1μm/小时，因此完成一次器件的生长大约需要8小时。

  完成MOCVD外延生长后，一定要通过一系列的光罩图形处理和物理刻蚀或沉积工艺制备GaN基LED芯片。普通蓝、绿光LED芯片的基本结构，需要在外延片上依次做如下器件加工：（1）刻蚀局部区域露出n-型GaN导电层；（2）蒸镀透明导电薄膜NiAu或ITO;（3）蒸镀焊线电极，包括p电极和n电极；（4）蒸镀钝化保护层。芯片工艺流程需要严格管理质量，防止类似焊盘机械黏附力不足、表面异物污染等容易导致器件在封装使用的过程失效的问题。此外，芯片随后还需要做衬底减薄、物理切割分离、测试、分选，最后获得光电参数一致的芯片成品。由于GaN基LED芯片衬底蓝宝石是绝缘体，芯片通过上表面的两个+/-电极与金属焊线连接来导电。相比而言，目前普通GaAs衬底的红光芯片还是通过导电胶使衬底与支架之间形成导电通道，工艺控制导电胶的物理黏结强度对封装断路失效控制就显得特别重要。

  蓝、绿光LED芯片通常在正向加压2.4V左右时开始导通，工作电流20mA下电压Vf的范围一般是3.0~3.4V（对于14×14mil2见方的芯片尺寸，），较高的工作电压是由GaN半导体的禁带宽度决定的。

  一颗普通结构14×14mil2绿光LED芯片在不同环境和温度下的特性变化曲线℃时，显示绿光LED的发光波长发生明显漂移，从522nm红移到527nm;显示发光亮度降低了25%;显示工作电压从3.23V降到2.98V。

  随着环境和温度的升高，发光波长红移以及工作电压下降都是由于半导体禁带宽度缩小导致的。但是，由于GaN体系的材料禁带宽度大，可以容忍的环境和温度上限比其它材料有很明显的优势。实验发现，在150℃环境和温度下，GaN基的蓝、绿光LED器件还可以发光，只是效率大幅度的降低了。但是，另一方面，对此类普通结构的芯片，蓝光的电光转换效率在20~30%之间；绿光明显更低，一般只有10~20%.电能除了少部分转变成光能外，其它都产生热，这些热能对于微小的晶片面积来说是很大的负担。因此，在芯片封装使用时，需要非常注意做好芯片的散热通道设计，从而确保芯片能稳定可靠地工作。

  普通14×14mil2绿光LED芯片发光波长随工作电流变化的曲线。随着电流密度的增大，绿光芯片发光波长从534nm（2mA下测试）蓝移到522nm（30mA下测试）。实际上蓝光芯片也有类似的蓝移趋势，只是幅度比绿光芯片小，这个特性对设计使用芯片的工作条件很重要。为了尽最大可能避免颜色随亮度变化而发生漂移，调节亮度的方式一般选择改变脉冲宽度，而不是改变电流强度。

  为发光层量子阱工作的基础原理示意图。电子-空穴复合生成光子的能量决定了发光波长，而光子的能量是由束缚在量子阱的电子-空穴对的势能决定的。实际上，芯片从2mA增加到30mA电流的过程中，量子阱中电子-空穴对的势能发生了两个很重要的变化：先是屏蔽了量子阱内建电场，使得导带和价带距离增大；然后载流子填充效应使电子-空穴对之间的势能进一步增大，而增大的电子-空穴对势能转变成的光子对应的波长将变短，这一点可以从前述波长和能量的换算关系推得。

  早在1970年代，美国科学家J.Pankove等人就已经发现GaN是一种良好的宽禁带半导体发光材料，并且成功制作了能发出蓝光的GaN肖特基管。但是，随后的十几年里，科学家们的努力研究一直没能突破制备p-型GaN材料的难关。直到20世纪80年代末期，日本科学家Akasaki和Amano发现，可以先在异质衬底上沉积AlN结晶层，然后可以在一定程度上完成MOCVD外延生长表面平整的GaN单晶薄膜材料。在此基础上，他们又发现能够最终靠电子束激活Mg掺杂的GaN材料中的空穴载流子，实现p-型GaN材料的制备，这是GaN基p-n结发光二极管最为关键的基础技术突破。随后，GaN基LED技术从研究院所的实验室走进了工厂。日本Nichia（日亚）公司的科学家Nakamura[15,16]实现了采用GaN结晶层实现高质量的外延层MOCVD生长，很快又发现能够最终靠热退火的方式激活Mg掺杂的GaN实现p型导电。作为这一系列突破的成果，1993年Nichia公司成功实现了商业化生产GaN蓝光LED.

  在成功实现了商业化生产蓝光LED后，学术界和产业界对该领域的许多关键物理课题投入了极大的研究热情。核心问题之一就是怎么样提高蓝光LED芯片的InGaN/GaN量子阱内量子效率，也就是怎么样提高电光转换效率。许多研究单位和企业的MOCVD设备被用于试验优化生长条件，提高InGaN量子阱的晶体质量；同时还有很多新的器件结构设计也被尝试以提高载流子的注入效率和复合效率。在这阶段，新的研究发现主要促成了两大成果：（1）绿光LED的商用化（1995年[17]）；（2）蓝光LED效率得到了成倍提升。

  在蓝、绿光LED性能显着提高的基础上，它们得到了大规模的商用化，尤其是在移动电话背光源，全彩广告看板等应用领域。基于商业利益的刺激，提高发光效率成了企业间的生死时速竞赛，这在中国台湾地区、韩国以及中国大陆地区显得很激烈。在很多企业短时间无法显着提高内量子效率的情况下，这些新进入者开始大胆尝试在出光效率上做文章，也就是提高外量子效率。主要突破点在于：（1）用ITO导电薄膜替代金属半透过膜NiAu,透过率提高了约25%,也就是亮度提高了25%;（2）通过在外延层表层生长V型坑缺陷，使得表面全反射被打破，从而显着提升取光效率；（3）通过利用表面粗化的蓝宝石衬底片，打破GaN/蓝宝石的全反射界面，也实现了显着提升取光效率的效果。这一些方法在引入初期均导致了器件其它光电性能的严重牺牲，比如衰减严重、易产生漏电、静电防护能力弱等等。但是，随企业研究人员的工程技术进步，各种特性逐步得到一定的改善，同时，对外延材料特性的进一步认识也促进了内量子效率持续的提升。作为结果，在这一阶段，蓝、绿光LED发光效率都得到了成倍的提升，最新的研究根据结果得出，蓝光LED在优化内、外量子效率的情况下，能轻松实现50%的电光转换效率。

  通过外延材料制备技术的提高和器件物理结构设计的优化，蓝、绿光LED技术在过去20年里取得了令人瞩目的发展。同时，归功于性能的不断的提高以及成本的迅速下降，应用领域和规模也得到了极大的发展。但是，展望未来更富有挑战性的通用照明新领域，LED技术更进一步的突破是必须的。这一次的突破将更为集中地围绕怎么来降低LED的使用成本，关键有三个发展趋势：（1）降低器件的制造成本；（2）提高器件的电光转换效率；（3）提高器件的输入功率。

  LED器件的制造成本相对硅基器件而言还是很高的，这主要是由于该产业的规模和技术发展程度还远不及硅基半导体工业。但是，参考成熟半导体行业的发展历史，我们大家可以预期LED器件的制造成本将在未来10年有持续下降空间。主要的成本节约贡献将重点依靠三个部分：（1）核心设备制造技术的进步将成倍提高生产效率，从而显着降低折旧成本，最为典型的就是GaN外延的MOCVD设备；（2）加工圆片的尺寸成倍提升，从目前主流的2英寸圆片发展到4英寸，将大幅度的降低芯片工艺的加工成本；（3）产业规模的级数扩大将显着降低消耗原物料的成本和综合管理成本。综合这一些因素，可以预期未来10年LED芯片的成本将会持续降低，这将进一步刺激LED新兴应用领域的发展。

  LED器件电光转换效率的提升也将显着降低最终客户的使用成本，这里的成本节约体现在两方面：一种原因是单位流明亮度的芯片成本将随着芯片发光效率的提升而下降；另一方面是电能的节约，比如从能效25%的芯片技术发展到50%的技术，将实现节能一半的效果。而且更有意义的是，节能的效益不仅体现在经济上，还体现在社会效益上。因此，在转换效率提升的研究上，将继续获得大量商业和政府的研发资源。

  电光转换效率的提升将沿着前述的两个方向持续推进：（1）内量子效率的提升；（2）取光效率的提升。内量子效率的提升主要是依靠MOCVD外延材料制备技术的进步，通过改善发光层量子阱（MQW）的晶体质量，提高器件的载流子注入效率和复合效率，这方面的提升空间目前已经变得较为有限。相反，取光效率的提升还有很大的开发空间，这方面的主要工作将在于：（1）逐步优化界面粗糙化的工艺，来提升光从发光层逸出的效率；（2）改善芯片切割工艺，减少透明蓝宝石衬底侧面亮度吸收损失。

  在可以保持器件电光转换效率不变的前提下，通过提高单位面积芯片的输入功率，也能够达到降低使用成本的效果。这个努力方向依赖两方面的技术进步：一方面，需要尽可能降低芯片以及封装结构的热阻，这样做才能够在一定的器件工作时候的温度上限内提高输入功率水平；另一方面，需要改善器件MQW结构设计，使其可以在更高注入载流子密度的条件下保持一定的电光转换效率。在器件热阻控制的研究方向，目前LED产品领域还有许多空间可供开发，特别是在低热阻的焊接固晶技术、高导热系数的焊接材料以及芯片支架材料方面，都是值得认真研究的。

  GaN基蓝、绿光LED技术过去二十几年的进步，慢慢的开始在全球开启了一个崭新的固态新光源时代，这个技术不但带来了色彩斑斓、节能环保的新光源，而且正孕育着一个更为广阔的市场空间--固态通用照明市场。由于该技术巨大的节能效益以及其材料的环保特征，许多战略研究项目得到了各主要国家的高度关注，同时，也吸引了大批企业投身其中参与产品研究开发和推广。有理由相信，在未来10年内，GaN基蓝、绿光LED技术的发展必将促成一个欣欣向荣的新型固态照明市场！